與更先進技術(shù)節(jié)點相伴而生的不利之處在于，隨著器件尺寸的縮小，那些在以前節(jié)點上曾經(jīng)不太重要的缺陷和顆粒可能會變成器件殺手。這樣一來，就要求器件制造商具備更強大的、能夠?qū)υ絹碓叫〉娜毕莺皖w粒進行檢測的能力。雖然在半導體產(chǎn)業(yè)剛剛起步時，檢測能力與尺寸縮小的缺陷之間的賽跑就已經(jīng)開始并持續(xù)至今。但是現(xiàn)在及不遠的將來，對3D結(jié)構(gòu)進行形狀表征面臨著巨大障礙和各種基本限制，會給檢查、測量和測試平臺技術(shù)帶來嚴重的挑戰(zhàn)。

浸沒式光刻帶來的困難

浸沒式光刻將加大缺陷檢測的難度。正如Applied Materials公司工藝診斷和控制部門的市場策略經(jīng)理Ehud Tzuri所說的那樣，發(fā)現(xiàn)缺陷的難度增大“不僅是因為出現(xiàn)新的缺陷類型，還因為缺陷的尺寸大小。大多數(shù)的新缺陷都很大而且通常已被很好地了解，比如與浸沒式光刻有關(guān)的水泡、水痕等等。”這些缺陷能夠被控制到與干法光刻相同的程度，因為已經(jīng)知道它們的來源。

然而似是而非的是，由于浸沒式光刻的分辨率更高，因此出來尺寸更小的致命缺陷。晶圓上超過70％的缺陷都小于50nm。在早期的表征過程中，許多缺陷會被以前的設(shè)備漏檢，不是因為它們不存在，而是因為這些設(shè)備無法檢測到它們。這些小的橋接、基腳等極微小的缺陷——曾經(jīng)被忽略或不用確認——現(xiàn)在已經(jīng)變得很重要了（圖1）。

必須對這些微小的缺陷進行檢測。“提高分辨率是最佳的辦法。”Tzuri說：“然而，傳統(tǒng)的明場顯微鏡，即便是用DUV光源，也已經(jīng)達到分辨率的極限了。因此不可能分辨出非常密集的圖形，比如目前小于55nm的NAND閃存圖形。” Applied Materials公司的解決方案使用結(jié)合深紫外（DUV）和激光照明的3-D采集方法，從而使缺陷檢測的分辨率能夠達到1/10波長的范圍。

隨著22nm節(jié)點的接近，光學檢查將遇到很多問題，因此用電子束設(shè)備來檢測極微小缺陷的必要性不斷上升。這就要求提高電子束設(shè)備的單位時間的產(chǎn)量以適應大規(guī)模生產(chǎn)的需要——一個工程性的挑戰(zhàn)。當然，光學和電子束方法可能會被結(jié)合使用。

有用的破壞性方法

FEI公司納米電子事業(yè)群的產(chǎn)品市場經(jīng)理Larry Dworkin相信，在32和22nm節(jié)點，對TEM數(shù)據(jù)的需求會大為增加。“系統(tǒng)被用于在整個晶圓上進行FIB輔助的TEM薄層準備工作，而晶圓的其余部分則能夠被送回生產(chǎn)線。用TEM來分析這片小的薄層就可以確認缺陷的產(chǎn)生根源。”一些65和45nm器件制造商已經(jīng)在這樣做，而且將來還可能需要更多的掃描TEM和TEM圖像，來研究那些只能通過電子束檢查或電子探針來觀察的缺陷（圖2）。


在22nm節(jié)點到來之前，TEM必須從離線的實驗室技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)檫M入fab的線上技術(shù)。短期目標是使檢測周期縮短到2小時左右，而長期目標則是必須具有移動性。在應變硅領(lǐng)域需要考慮的重要因素是，當晶圓被切開時，樣品內(nèi)的應力會發(fā)生變化。這就要求采用新的TEM樣品準備技術(shù)以防止薄層的變形。

在通往22nm節(jié)點的道路上，缺陷檢測問題的嚴重程度將主要取決于我們是否使用目前的晶體管設(shè)計——盡管變得更小——在這種情況下會更多地用到TEM；標準的截面SEM和基本的自頂至底的CD-SEM無法測量或量化那些必須被觀察的缺陷。取而代之的是finFET等3D結(jié)構(gòu)。然而，傳統(tǒng)的SEM和自頂至底CD-SEM技術(shù)不足以測量這些結(jié)構(gòu)，因此非破壞性的測量技術(shù)成為必須。

一個明顯的選擇是散射測量。但問題在于它是否能夠處理尺寸微小的、復雜度高的finFET結(jié)構(gòu)，以及是否需要進行截面測量來幫助建立和驗證散射測量的模型，或者是否最終需要這種技術(shù)來驗證在線測量的結(jié)果。如果需要散射測量來全面了解finFET結(jié)構(gòu)在22nm節(jié)點會發(fā)生什么，某些形式的截面測量可能是不可避免的。

分辨率和材料

設(shè)計規(guī)則的縮小推動了分辨率的提高。測量設(shè)備必須提供更高的分辨率來測量尺寸等于或小于設(shè)計規(guī)則的缺陷，特別是對邏輯電路而言。KLA-Tencor公司晶圓檢查事業(yè)群的副總裁Mike Kirk相信，這不但會推動光學系統(tǒng)及其保真度的提升，還會提高圖像計算的要求，因為必須處理更小的信息像素。他說：“從0.25mm節(jié)點到現(xiàn)在，像素的尺寸大約縮小了3倍。”

根據(jù)Kirk所說，向更高分辨率發(fā)展的速度很慢，因為如果采用20nm的像素，測量設(shè)備的操作會變得很慢和很貴。他說：“正如掃描式光刻機的開發(fā)者關(guān)注k因子一樣，我們也有一個類似的因子，稱之為缺陷與像素的比率。通過在像素尺寸給定的條件下找到尺寸不斷變小的缺陷，我們不斷地嘗試著提高這個比率。為了獲得更多的信息，我們必須縮小像素。這意味著更好的處理過程、更好的算法和對于給定像素的分辨率更高的光學系統(tǒng)——更高的數(shù)值孔徑。”

另一個涉及到的問題與新材料有關(guān)。確定一個缺陷的物理起因以及其光學或電學圖像是很復雜的。由于存在近場干涉效應，電介質(zhì)也或多或少會吸收一些光，而且測量設(shè)備不能被設(shè)計成只針對具有特定厚度、n和k值的給定層（因為用戶需要改變測量要求以針對下一個節(jié)點的器件或稍有不同的器件），因此要求不同的光學性質(zhì)。光學系統(tǒng)的照明和檢測方案都必須具有足夠的靈活性，以應對可能會被采用的不同結(jié)構(gòu)或材料。

在開發(fā)階段，計量供應商必須與fab緊密合作。器件制造商不會只因為某種材料具有所需的電學性質(zhì)或熱管理預算就決定使用它；他們還想知道它能否被檢查、測量和控制。他們在工藝開發(fā)的早期就做好相關(guān)的決定，然后請計量供應商為先進的材料和設(shè)計規(guī)則提供設(shè)備來幫助他們選擇。Kirk 說：“問題在于他們可能會先選擇六種不同的設(shè)備，而后來卻決定只用一種，因此我們必須幫助提供所有的六種設(shè)備，并且需要在合適的時間擁有合適的測試平臺。”這意味著在很早的階段就應該為fab進行復雜的缺陷和器件建模，以保證設(shè)備具有合適的數(shù)值孔徑、照明、波長、角度和采集幾何結(jié)構(gòu)。

粗糙度問題

亞22nm節(jié)點的缺陷檢測和噪聲抑制是有待解決的棘手問題。在制作柵極線條時，圖形轉(zhuǎn)移一般都是不完美的，而且器件的邊緣都會存在一些粗糙度。芯片與芯片之間（die-to-die）或晶體管與晶體管之間不可能是完全均勻的。Kirk說：“設(shè)備將它（非均勻性造成的局部漲落）當作缺陷，而用戶在其尺寸大到足以引起麻煩之前不希望它被標記出來。”問題是沒有人能夠先驗地知道這個尺寸將是多大。在線邊緣粗糙度的范疇內(nèi)，可能會在溝槽底部找到一個小的基腳。這個從線條內(nèi)伸出的小突刺會導致短接或泄漏；因此，必須采集來自尺寸小于20或15nm的特征結(jié)構(gòu)的信號，而這些信號被掩藏在LER背底噪聲的海洋內(nèi)。